AKUMULÁTOROVÝ Usmerňovač Invertor so štartovacím 180A 12/24 V nabíjačka 30A

Model: POWERMAT PM-PI-180T

Invertorový usmerňovač je zariadenie, ktoré umožňuje nabíjať rôzne typy olovených akumulátorov. Môže ísť o MOKRÉ batérie s tekutým elektrolytom, GELOVÉ s gélovým elektrolytom alebo AGM batérie s elektrolytickou absorpčnou podložkou. Zariadenie navyše podporuje aj štartovanie spaľovacích motorov. Funguje tak, že konvertuje prúd a napätie dodávané zo siete na také, ktoré je bezpečné na efektívne nabíjanie batérií. Vďaka procesu nabíjania zaisťujeme primeraný výkon batérie, čo výrazne predlžuje jej životnosť.

Funkcia štartovania umožňuje naštartovať prakticky každé vozidlo aj pri úplnom vybití batérie.

• Menovité napätie: 230 V / 50 Hz
• Nabíjací prúd: 5 – 30 [A]
• Kapacita batérie : 25 - 800 [Ah]
• Napätie nabíjacieho prúdu: 12 V / 24 V
• Maximálny štartovací prúd: 180 A
• Maximálny príkon: 100 - 1200 [W]
• Prevádzková teplota: -20°C - 40° C
• Účinnosť: 98 %
• Trieda vodotesnosti: IP 65
• Dĺžka typu káblov "svorky": 183 cm
• Dĺžka napájacieho kábla: 195 cm

• 1x usmerňovač
• Káble so svorkami "-"; "+"
• Box
• Návod na použitie v poľštine

• Usmerňovač automaticky upraví dodávaný prúd podľa požiadaviek motora, na rozdiel od transformátorových zariadení, ktoré staticky dodávajú prúd, čo zvyšuje bezpečnosť batérií.
• Keď je aktivovaná funkcia štartovania, zariadenie čaká na moment, kedy motor potrebuje prúd - nie, musíme sa ponáhľať k vozidlu, aby sme ho naštartovali na splátky. Až po otočení kľúčom štartéra dodá väčší prúd potrebný na naštartovanie motora.
• Toto riešenie zaručuje bezpečnosť vďaka stabilnému výstupnému napätiu. Je vhodný pre autobusy aj osobné autá.
• Usmerňovač je vďaka technológii IGBT oveľa menší ako transformátorové usmerňovače, vďaka čomu je kompaktnejší.
• Zariadenie je vyrobené z komponenty najvyššej kvality.

Technológia IGBT

IGBT tranzistory (Insulated Gate Bipolar Transistor) sú polovodičové elektronické prvky, ktoré kombinujú vlastnosti bipolárneho tranzistora a efekt poľa tranzistor (MOSFET).

Hlavné vlastnosti IGBT tranzistorovej technológie sú:

1. Vysoká účinnosť: IGBT tranzistory sa vyznačujú vysokou energetickou účinnosťou, vďaka čomu sú účinné výkonové spínače.
2. Vysoká účinnosť vedenia: IGBT tranzistory sú schopné viesť značné elektrické prúdy, vďaka čomu sa používajú v aplikáciách vyžadujúcich riadenie vysokého výkonu.
3. Vyššie napätie kolektor-emitor: IGBT majú schopnosť zvládnuť vyššie napätie v porovnaní s tradičnými MOSFET, čo je užitočné vo vysokonapäťových aplikáciách.
4. Tepelná ochrana : Mnohé IGBT tranzistory majú zabudované mechanizmy tepelnej ochrany, ktoré zabraňujú prehriatiu, čo zvyšuje spoľahlivosť zariadení, v ktorých sa používajú.
5. Široké aplikácie: IGBT tranzistorová technológia je široko používaná vo frekvenčných meničoch, spínaných zdrojoch energie, systémoch riadenia výkonu, systémoch pohonu elektromotorov a mnohých ďalších zariadeniach vyžadujúcich efektívne riadenie výkonu.
6. Aplikácia v priemyselnej elektronike: IGBT tranzistory sa používajú v priemyselných zariadeniach, ako sú invertory, ktoré umožňujú presnú reguláciu otáčok elektromotorov a premenu elektrickej energie.

V skratke povedané, IGBT tranzistorová technológia je kľúčovým prvkom v tejto oblasti výkonovej elektroniky, umožňujúcej pokročilé riadenie elektrickej energie v rôznych priemyselných a spotrebiteľských odvetviach.

Jadro kábla je vyrobené z medi a plne pokryté gumovými "krokosvorkami" koncovkami zaisťujú plnú prevádzkovú bezpečnosť a ochranu proti mrazu.

Plne chránené „krokosvorky“

Silné a odolné, bezpečné použitie.

Jadro kábla vyrobené z medi

The použitie medeného drôtu môže zaručiť stabilný prúdový výkon. Nabíjacie káble majú dlhú životnosť a nevytvárajú teplo.

Usmerňovač je vybavený ventilátorom, ktorý pracuje automaticky a chráni tranzistorové systémy IGBT.